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LA MEMORIA MAS
RAPIDA DEL MUNDO
Toshiba
Corporation anunció una DRAM de alto desempeño que alcanza increible
velocidad de transferencia de datos de 6,4Ghz.Ver modelos
El
XDR™ de 512 megabytes de segunda generación está diseñado para
aplicaciones de ancho de banda de alto desempeño, incluyendo
aparatos electrónicos digitales de consumo, sistemas de redes y
sistemas gráficos.
El XDRTM DRAM está basado en la tecnología de interfaz de memoria
XDR de Rambus (Nasdaq: RMBS) y ofrece una velocidad de datos
octagonal (ODR), que soporta transferencias de ocho datos en un solo
ciclo de reloj.
El DRAM (TC59YM916BKG) XDRTM de 512 megabits transfiere datos a
4.8GHz con un VDD de 1.8V y soporta una operación pico de 6.4GHz, la
velocidad de transferencia de datos más veloz lograda hasta ahora:
cuatro veces más rápida que el desempeño de los chips de memoria
Graphic Double Data Rate (GDDR) de 1.6GHz y doce veces más rápida
que las mejores memorias PC de 533MHz de su clase.
Las aplicaciones de banda ancha de próxima generación requieren
procesamiento en tiempo real de enormes cantidades de datos, lo que
sólo puede lograrse con el soporte de chips de memoria de gran
capacidad y ultra alta velocidad.
Toshiba satisface estas necesidades con su XDRTM DRAM. La compañía
continuará desarrollando y comercializando el XDRTM DRAM como un
dispositivo de memoria junto con la memoria flash NAND y MCP.
ESPECIFICACIONES
Configuración:
Palabra de 4 megabits x 8 bancos x 16 bits (x4/x8/x16 programable)
Fuente de energía:
1.8V VDD
Tamaño del paquete:
1.27mm x 0.8mm pitch BGA
Interfaz:
DRSL (Differential Rambus Signal Level)
Velocidad max de datos:
4.8GHz
Tiempo min. del ciclo:
40ns (tRC)
Fuente
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